SCT3022ALHRC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 3757.91 грн |
| 5+ | 3546.42 грн |
| 10+ | 3147.86 грн |
| 25+ | 2917.78 грн |
| 50+ | 2439.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3022ALHRC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 93A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V, Power Dissipation (Max): 339W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA, Supplier Device Package: TO-247N, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT3022ALHRC11 за ціною від 3704.43 грн до 5272.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT3022ALHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT3022ALHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT3022ALHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3022ALHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 93A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V Power Dissipation (Max): 339W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA Supplier Device Package: TO-247N Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT3022ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 93A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 339W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 28.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 133nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SCT3022ALHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SCT3022ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 93A; Idm: 232A; 339W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 93A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 339W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 28.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 133nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |