SCT3022KLHRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5647.42 грн |
| 5+ | 5534.36 грн |
| 10+ | 5421.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3022KLHRC11 ROHM
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT3022KLHRC11 за ціною від 8048.92 грн до 9371.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3022KLHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCT3022KLHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V Power Dissipation (Max): 427W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA Supplier Device Package: TO-247N Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SCT3022KLHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3022KLHRC11 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |