Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3022KLHRC11
SCT3022KLHRC11

SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7527.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SCT3022KLHRC11 за ціною від 7930.46 грн до 10531.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3022klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10466.19 грн
5+10277.61 грн
10+10089.03 грн
25+8801.30 грн
50+7930.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3022klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10531.34 грн
10+10530.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3022klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10531.34 грн
10+10530.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 ROHM datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 sct3022klhr-e.pdf
SCT3022KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10466.19 грн
5+10277.61 грн
10+10089.03 грн
25+8801.30 грн
50+7930.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 sct3022klhr-e.pdf
SCT3022KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10531.34 грн
10+10530.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 sct3022klhr-e.pdf
SCT3022KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10531.34 грн
10+10530.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3022KLHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3022KLHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.