SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7492.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 427W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції SCT3022KLHRC11 за ціною від 7983.45 грн до 10601.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
на замовлення 199 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+9724.93 грн
10+8945.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3022klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10536.12 грн
5+10346.28 грн
10+10156.44 грн
25+8860.10 грн
50+7983.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3022klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10601.71 грн
10+10600.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3022klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10601.71 грн
10+10600.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 ROHM sct3022klhr-e.pdf Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 427W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
на замовлення 199 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9724.93 грн
10+8945.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 sct3022klhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10536.12 грн
5+10346.28 грн
10+10156.44 грн
25+8860.10 грн
50+7983.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 sct3022klhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10601.71 грн
10+10600.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 sct3022klhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10601.71 грн
10+10600.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 sct3022klhr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 427W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.