SCT3030ALGC11 ROHM Semiconductor
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1752.70 грн |
| 10+ | 1724.28 грн |
| 25+ | 1392.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030ALGC11 ROHM Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-247N, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500.
Інші пропозиції SCT3030ALGC11 за ціною від 1078.06 грн до 2068.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3030ALGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V Power Dissipation (Max): 262W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Supplier Device Package: TO-247N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 |
на замовлення 8797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3030ALGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT3030ALGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 1118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3030ALGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3030ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT3030ALGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT3030ALGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247 Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SCT3030ALGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247 Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A |
товару немає в наявності |