SCT3030ALHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2570.00 грн |
| 30+ | 2472.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030ALHRC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-247N, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT3030ALHRC11 за ціною від 2966.51 грн до 2966.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3030ALHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
| SCT3030ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247 Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
| SCT3030ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 70A Power dissipation: 262W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Case: TO247 Gate charge: 104nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 175A |
товару немає в наявності |