Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3030ARC14
SCT3030ARC14

SCT3030ARC14 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT3030AR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3218.97 грн
30+2191.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3030ARC14 Rohm Semiconductor

Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500.

Інші пропозиції SCT3030ARC14 за ціною від 2719.06 грн до 3652.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3030ARC14 SCT3030ARC14 Rohm Semiconductor sct3030ar-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3652.67 грн
5+3541.30 грн
10+3322.52 грн
20+3002.45 грн
50+2820.56 грн
100+2766.53 грн
250+2719.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14 SCT3030ARC14 Rohm Semiconductor sct3030ar-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3652.67 грн
5+3541.30 грн
10+3322.52 грн
20+3002.45 грн
50+2820.56 грн
100+2766.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14 SCT3030ARC14 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3030AR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14 SCT3030ARC14 ROHM 2853116.pdf Description: ROHM - SCT3030ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14 sct3030ar-e.pdf
SCT3030ARC14
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+3652.67 грн
5+3541.30 грн
10+3322.52 грн
20+3002.45 грн
50+2820.56 грн
100+2766.53 грн
250+2719.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14 sct3030ar-e.pdf
SCT3030ARC14
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+3652.67 грн
5+3541.30 грн
10+3322.52 грн
20+3002.45 грн
50+2820.56 грн
100+2766.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14 datasheet?p=SCT3030AR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3030ARC14
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14 2853116.pdf
SCT3030ARC14
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3030ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.