SCT3030ARC14 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2639.68 грн |
| 30+ | 2488.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030ARC14 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500.
Інші пропозиції SCT3030ARC14 за ціною від 2373.88 грн до 3188.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3030ARC14 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3030ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3030ARC14 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3030ARC14 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT3030ARC14 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT3030ARC14 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 70A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 262W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |