SCT3030ARC15 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1473.27 грн |
| 10+ | 1160.77 грн |
| 450+ | 992.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030ARC15 Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Power Dissipation (Max): 262W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc).
Інші пропозиції SCT3030ARC15
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT3030ARC15 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| SCT3030ARC15 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.

