SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1488.60 грн |
| 10+ | 1274.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Power Dissipation (Max): 262W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SCT3030ARHRC15 за ціною від 1185.69 грн до 2345.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3030ARHRC15 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 30m 3rd Gen TO-247-4L |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SCT3030ARHRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCT3030ARHRC15 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SCT3030ARHRC15 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SCT3030ARHRC15 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 30m 3rd Gen TO-247-4L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 30m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT3030ARHRC15 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCT3030ARHRC15 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1515.51 грн |
| 20+ | 1474.81 грн |
| 50+ | 1388.40 грн |
| 100+ | 1258.55 грн |
| 250+ | 1185.69 грн |
| SCT3030ARHRC15 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2345.46 грн |
| 8+ | 1897.59 грн |
| 10+ | 1850.44 грн |
| 50+ | 1716.16 грн |
| 100+ | 1494.33 грн |
| 200+ | 1394.14 грн |
| 450+ | 1222.40 грн |