SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1468.82 грн |
| 10+ | 1257.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT3030ARHRC15 за ціною від 867.24 грн до 2135.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3030ARHRC15 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 70A 30mO NCH SIC MOSFET |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3030ARHRC15 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT3030ARHRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCT3030ARHRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|