SCT3030AW7TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2329.66 грн |
| 10+ | 1835.10 грн |
| 100+ | 1770.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030AW7TL Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 267W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V.
Інші пропозиції SCT3030AW7TL за ціною від 1820.86 грн до 2508.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3030AW7TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| SCT3030AW7TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT3030AW7TL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
SCT3030AW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V Power Dissipation (Max): 267W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V |
товару немає в наявності |