SCT3030AW7TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2211.59 грн |
| 10+ | 1742.10 грн |
| 100+ | 1680.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030AW7TL Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V, Power Dissipation (Max): 267W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V.
Інші пропозиції SCT3030AW7TL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3030AW7TL | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT3030AW7TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)