SCT3030KLGC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 339W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3301.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3030KLGC11 ROHM
Description: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 339W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SCT3030KLGC11 за ціною від 4206.45 грн до 5046.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3030KLGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V Power Dissipation (Max): 339W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Supplier Device Package: TO-247N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCT3030KLGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| SCT3030KLGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 72A Power dissipation: 339W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247 Gate charge: 131nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 180A кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| SCT3030KLGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W On-state resistance: 39mΩ Drain current: 72A Power dissipation: 339W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247 Gate charge: 131nC Mounting: THT Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...22V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 180A |
товару немає в наявності |