Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3030KLGC11
SCT3030KLGC11

SCT3030KLGC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT3030KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4313.14 грн
30+4152.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3030KLGC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 339W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SCT3030KLGC11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3030KLGC11 SCT3030KLGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3030KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11 SCT3030KLGC11 ROHM ROHM-S-A0002905981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 339W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11 datasheet?p=SCT3030KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3030KLGC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11 ROHM-S-A0002905981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SCT3030KLGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 339W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.