SCT3040KLHRC11

SCT3040KLHRC11 ROHM Semiconductor


sct3040klhr-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3177.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3040KLHRC11 ROHM Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247N, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V.

Інші пропозиції SCT3040KLHRC11 за ціною від 3248.20 грн до 4312.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT3040KLHRC11 SCT3040KLHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor sct3040klhr-e.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4312.49 грн
10+3700.63 грн
100+3248.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLHRC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR sct3040klhr-e.pdf SCT3040KLHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.