Продукція > ROHM > SCT3040KRC15
SCT3040KRC15

SCT3040KRC15 ROHM


sct3040kr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3040KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1647.27 грн
5+1555.66 грн
10+1463.23 грн
50+1124.98 грн
100+1037.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3040KRC15 ROHM

Description: ROHM - SCT3040KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 262W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SCT3040KRC15 за ціною від 1216.82 грн до 2128.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT3040KRC15 SCT3040KRC15 Виробник : Rohm Semiconductor sct3040kr-e.pdf Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1911.53 грн
10+1635.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15 SCT3040KRC15 Виробник : ROHM Semiconductor sct3040kr-e.pdf SiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2128.57 грн
10+1863.81 грн
100+1417.66 грн
250+1322.76 грн
450+1216.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.