SCT3040KRC15 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3040KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1643.30 грн |
| 5+ | 1551.91 грн |
| 10+ | 1459.70 грн |
| 50+ | 1122.27 грн |
| 100+ | 1035.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3040KRC15 ROHM
Description: ROHM - SCT3040KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 262W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SCT3040KRC15 за ціною від 1631.50 грн до 1906.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3040KRC15 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCT3040KRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 262W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|