Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3040KRHRC15
SCT3040KRHRC15

SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor

sct3040krhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1157.75 грн
10+788.06 грн
100+603.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT3040KRHRC15 за ціною від 1061.89 грн до 2337.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3040KRHRC15 SCT3040KRHRC15 ROHM Semiconductor sct3040krhr-e.pdf SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 565 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1836.97 грн
10+1229.58 грн
450+1061.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 SCT3040KRHRC15 ROHM 3902373.pdf Description: ROHM - SCT3040KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor sct3040krhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2013.92 грн
25+1657.64 грн
50+1606.48 грн
100+1498.88 грн
250+1295.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor sct3040krhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2337.40 грн
8+1957.72 грн
10+1839.08 грн
50+1739.07 грн
100+1557.28 грн
200+1454.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 sct3040krhr-e.pdf
SCT3040KRHRC15
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 565 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1836.97 грн
10+1229.58 грн
450+1061.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 3902373.pdf
SCT3040KRHRC15
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3040KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 sct3040krhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2013.92 грн
25+1657.64 грн
50+1606.48 грн
100+1498.88 грн
250+1295.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 sct3040krhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2337.40 грн
8+1957.72 грн
10+1839.08 грн
50+1739.07 грн
100+1557.28 грн
200+1454.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.