SCT3040KW7TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2290.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3040KW7TL Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 267W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT3040KW7TL за ціною від 1791.77 грн до 2459.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3040KW7TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT3040KW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 267W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCT3040KW7TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 56A; Idm: 140A; 267W Gate charge: 107nC On-state resistance: 52mΩ Drain current: 56A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 267W Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO263-7 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: SiC Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...22V |
товару немає в наявності |