SCT3040KW7TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 267W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3040KW7TL Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -4V, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 267W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SCT3040KW7TL за ціною від 1775.56 грн до 2726.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3040KW7TL | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SCT3040KW7TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2726.27 грн |
| 10+ | 2170.50 грн |
| 100+ | 1775.56 грн |