SCT3060ALGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 980.35 грн |
| 30+ | 608.45 грн |
| 120+ | 563.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3060ALGC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500.
Інші пропозиції SCT3060ALGC11 за ціною від 599.16 грн до 1240.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3060ALGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCT3060ALGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SCT3060ALGC11 | Виробник : ROHM - Japan |
SiC-N-Ch 650V 39A 165W 0,078R TO247 SCT3060ALGC11 : Rohm SCT3060ALGC11 TSCT3060algc11 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
SCT3060ALGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
SCT3060ALGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A Power dissipation: 165W Case: TO247 On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
товару немає в наявності |