Продукція > ROHM > SCT3060ALHRC11
SCT3060ALHRC11

SCT3060ALHRC11 ROHM


sct3060alhr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1343.56 грн
5+1270.94 грн
10+1197.49 грн
50+848.33 грн
100+738.51 грн
250+723.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3060ALHRC11 ROHM

Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA, Supplier Device Package: TO-247N, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT3060ALHRC11 за ціною від 1066.82 грн до 1944.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3060ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1629.82 грн
30+1066.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 Виробник : ROHM Semiconductor sct3060alhr_e-1872000.pdf SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1944.04 грн
10+1703.07 грн
25+1339.68 грн
50+1290.39 грн
100+1282.29 грн
250+1205.78 грн
450+1111.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3060ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SCT3060ALHRC11 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.