SCT3060ALHRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1418.04 грн |
| 5+ | 1362.9 грн |
| 10+ | 1307.76 грн |
| 50+ | 1125.78 грн |
| 100+ | 956.79 грн |
| 250+ | 937.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3060ALHRC11 ROHM
Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 165W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SCT3060ALHRC11 за ціною від 1018.97 грн до 1765.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3060ALHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SCT3060ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W; TO247 Mounting: THT On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 165W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 97A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
SCT3060ALHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 165W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||
| SCT3060ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W; TO247 Mounting: THT On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 165W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 97A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A |
товар відсутній |