SCT3060ALHRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1558.01 грн |
| 5+ | 1304.58 грн |
| 10+ | 1051.16 грн |
| 50+ | 952.62 грн |
| 100+ | 857.69 грн |
| 250+ | 840.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3060ALHRC11 ROHM
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT3060ALHRC11 за ціною від 1090.55 грн до 1894.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3060ALHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 165W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCT3060ALHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| SCT3060ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W; TO247 Case: TO247 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...22V Gate charge: 58nC On-state resistance: 78mΩ Drain current: 39A Pulsed drain current: 97A Power dissipation: 165W Drain-source voltage: 650V |
товару немає в наявності |