Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3060ALHRC11
SCT3060ALHRC11

SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor

sct3060alhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1464.90 грн
30+1432.86 грн
120+1354.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 165W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції SCT3060ALHRC11 за ціною від 1001.65 грн до 1872.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor sct3060alhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1464.90 грн
30+1432.86 грн
120+1354.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3060ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1620.54 грн
30+1026.76 грн
120+1001.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor sct3060alhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1623.77 грн
10+1574.22 грн
20+1477.22 грн
50+1335.35 грн
100+1255.01 грн
250+1231.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor sct3060alhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1810.20 грн
30+1649.77 грн
120+1452.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3060ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
на замовлення 428 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1872.80 грн
10+1309.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 ROHM sct3060alhr-e.pdf Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 sct3060alhr-e.pdf
SCT3060ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1464.90 грн
30+1432.86 грн
120+1354.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 datasheet?p=SCT3060ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3060ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1620.54 грн
30+1026.76 грн
120+1001.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 sct3060alhr-e.pdf
SCT3060ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1623.77 грн
10+1574.22 грн
20+1477.22 грн
50+1335.35 грн
100+1255.01 грн
250+1231.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 sct3060alhr-e.pdf
SCT3060ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1810.20 грн
30+1649.77 грн
120+1452.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 datasheet?p=SCT3060ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3060ALHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
на замовлення 428 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1872.80 грн
10+1309.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 sct3060alhr-e.pdf
SCT3060ALHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.