SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1455.18 грн |
| 30+ | 1423.35 грн |
| 120+ | 1345.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247N, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA, Power Dissipation (Max): 165W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SCT3060ALHRC11 за ціною від 1006.30 грн до 1798.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT3060ALHRC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT3060ALHRC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT3060ALHRC11 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +22V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247N Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA Power Dissipation (Max): 165W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT3060ALHRC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SCT3060ALHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT3060ALHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1455.18 грн |
| 30+ | 1423.35 грн |
| 120+ | 1345.90 грн |
| SCT3060ALHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1612.99 грн |
| 10+ | 1563.77 грн |
| 20+ | 1467.42 грн |
| 50+ | 1326.49 грн |
| 100+ | 1246.68 грн |
| 250+ | 1223.44 грн |
| SCT3060ALHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Power Dissipation (Max): 165W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Power Dissipation (Max): 165W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1628.08 грн |
| 30+ | 1031.53 грн |
| 120+ | 1006.30 грн |
| SCT3060ALHRC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 1798.19 грн |
| 30+ | 1638.82 грн |
| 120+ | 1442.78 грн |
| SCT3060ALHRC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
SiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT3060ALHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)