SCT3060ARC14 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1567.03 грн |
| 30+ | 955.02 грн |
| 120+ | 871.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3060ARC14 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V.
Інші пропозиції SCT3060ARC14 за ціною від 1050.37 грн до 1604.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3060ARC14 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| SCT3060ARC14 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A Pulsed drain current: 97A Power dissipation: 165W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |