Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3060AW7TL
SCT3060AW7TL

SCT3060AW7TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+814.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3060AW7TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3060AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 159W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції SCT3060AW7TL за ціною від 783.98 грн до 1483.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3060AW7TL SCT3060AW7TL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1136.15 грн
10+866.72 грн
100+844.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TL SCT3060AW7TL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1483.74 грн
10+958.77 грн
100+783.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TL SCT3060AW7TL ROHM sct3060aw7-e.pdf Description: ROHM - SCT3060AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 159W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TL datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3060AW7TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1136.15 грн
10+866.72 грн
100+844.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TL datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3060AW7TL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1483.74 грн
10+958.77 грн
100+783.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TL sct3060aw7-e.pdf
SCT3060AW7TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3060AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 159W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.