SCT3060AW7TL

SCT3060AW7TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+773.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3060AW7TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3060AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 159W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SCT3060AW7TL за ціною від 650.54 грн до 1223.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT3060AW7TL SCT3060AW7TL Виробник : ROHM sct3060aw7-e.pdf Description: ROHM - SCT3060AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1029.24 грн
5+946.40 грн
10+862.72 грн
50+720.29 грн
100+663.45 грн
250+650.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TL SCT3060AW7TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 650V 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1066.93 грн
10+911.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TL SCT3060AW7TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 159W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1223.26 грн
10+870.02 грн
100+744.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060AW7TL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3060AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SCT3060AW7TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.