SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 793.73 грн |
| 10+ | 534.57 грн |
| 100+ | 422.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500.
Інші пропозиції SCT3080ALGC11 за ціною від 442.85 грн до 1083.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3080ALGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT3080ALGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3080ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCT3080ALGC11 | Виробник : ROHM - Japan |
SiC-N-Ch 650V 30A 134W 0,104R TO247 SCT3080ALGC11 : Rohm SCT3080ALGC11 TSCT3080algc11 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SCT3080ALGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 134W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |