SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 958.61 грн |
| 30+ | 773.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT3080ALHRC11 за ціною від 746.89 грн до 962.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3080ALHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT3080ALHRC11 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT3080ALHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 962.41 грн |
| 5+ | 944.53 грн |
| 10+ | 926.64 грн |
| 50+ | 843.09 грн |
| 100+ | 762.22 грн |
| 250+ | 746.89 грн |
| SCT3080ALHRC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
SiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)