Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3080ALHRC11

SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor

Name: SCT3080ALHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 9950871-3
Price: 947.71 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=SCT3080ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	947.71 грн
30+	764.79 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 134W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції SCT3080ALHRC11

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SCT3080ALHRC11	ROHM Semiconductor	SiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N	на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SCT3080ALHRC11	ROHM	Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 134W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm	на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

SCT3080ALHRC11

Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SCT3080ALHRC11

Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3080ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 134W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.