SCT3080ARC15 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 568.07 грн |
| 5+ | 527.73 грн |
| 10+ | 487.39 грн |
| 50+ | 409.77 грн |
| 100+ | 347.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080ARC15 ROHM
Description: ROHM - SCT3080ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SCT3080ARC15 за ціною від 399.25 грн до 1004.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3080ARC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 134W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3080ARC15 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V, 30A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT3080ARC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SCT3080ARC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|