SCT3080ARHRC15 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3080ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 802.59 грн |
| 5+ | 715.57 грн |
| 10+ | 628.55 грн |
| 50+ | 535.02 грн |
| 100+ | 448.97 грн |
| 250+ | 440.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080ARHRC15 ROHM
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 134W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT3080ARHRC15 за ціною від 372.79 грн до 881.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT3080ARHRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STRPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 134W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT3080ARHRC15 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80mohm 3rd Gen TO-247-4L |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|