Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3080ARHRC15

SCT3080ARHRC15 Rohm Semiconductor

Name: SCT3080ARHRC15
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 26647177-3
Price: 774.91 UAH
Availability: InStock

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	774.91 грн
10+	583.46 грн
450+	417.10 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SCT3080ARHRC15 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3080ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SCT3080ARHRC15

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SCT3080ARHRC15	ROHM Semiconductor	SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L	на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SCT3080ARHRC15	ROHM	Description: ROHM - SCT3080ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised	на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

SCT3080ARHRC15

Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L

на замовлення 854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SCT3080ARHRC15

Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3080ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.