Продукція > ROHM > SCT3080AW7TL
SCT3080AW7TL

SCT3080AW7TL ROHM

sct3080aw7-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3080AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+856.15 грн
5+742.68 грн
10+628.35 грн
50+571.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3080AW7TL ROHM

Description: ROHM - SCT3080AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SCT3080AW7TL за ціною від 555.60 грн до 1041.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT3080AW7TL SCT3080AW7TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.95 грн
10+679.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TL SCT3080AW7TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3080AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80mohm 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1041.00 грн
10+752.67 грн
100+628.07 грн
1000+555.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080AW7TL SCT3080AW7TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080AW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.