Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3080KLHRC11
SCT3080KLHRC11

SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT3080KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1910.15 грн
30+1186.12 грн
120+1051.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT3080KLHRC11 за ціною від 1112.89 грн до 2308.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3080klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1971.60 грн
9+1659.03 грн
10+1562.86 грн
50+1356.34 грн
100+1180.73 грн
200+1112.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3080klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2308.22 грн
10+2129.16 грн
25+2025.63 грн
50+1853.46 грн
100+1623.72 грн
250+1486.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3080KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 ROHM sct3080klhr-e.pdf Description: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 sct3080klhr-e.pdf
SCT3080KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1971.60 грн
9+1659.03 грн
10+1562.86 грн
50+1356.34 грн
100+1180.73 грн
200+1112.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 sct3080klhr-e.pdf
SCT3080KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2308.22 грн
10+2129.16 грн
25+2025.63 грн
50+1853.46 грн
100+1623.72 грн
250+1486.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 datasheet?p=SCT3080KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3080KLHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 sct3080klhr-e.pdf
SCT3080KLHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.