Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3080KLHRC11
SCT3080KLHRC11

SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT3080KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1972.08 грн
30+1224.54 грн
60+1144.50 грн
120+1019.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 165W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції SCT3080KLHRC11 за ціною від 1303.20 грн до 2149.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3080klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2047.68 грн
10+1891.51 грн
25+1734.43 грн
30+1653.23 грн
50+1407.51 грн
120+1303.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3080klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2047.68 грн
10+1891.51 грн
25+1734.43 грн
30+1653.23 грн
50+1407.51 грн
120+1303.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3080klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2149.76 грн
10+1758.77 грн
25+1716.30 грн
50+1514.04 грн
100+1394.07 грн
250+1313.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3080klhr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2149.76 грн
10+1758.77 грн
25+1716.30 грн
50+1514.04 грн
100+1394.07 грн
250+1313.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3080KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 ROHM sct3080klhr-e.pdf Description: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 sct3080klhr-e.pdf
SCT3080KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2047.68 грн
10+1891.51 грн
25+1734.43 грн
30+1653.23 грн
50+1407.51 грн
120+1303.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 sct3080klhr-e.pdf
SCT3080KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2047.68 грн
10+1891.51 грн
25+1734.43 грн
30+1653.23 грн
50+1407.51 грн
120+1303.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 sct3080klhr-e.pdf
SCT3080KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2149.76 грн
10+1758.77 грн
25+1716.30 грн
50+1514.04 грн
100+1394.07 грн
250+1313.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 sct3080klhr-e.pdf
SCT3080KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2149.76 грн
10+1758.77 грн
25+1716.30 грн
50+1514.04 грн
100+1394.07 грн
250+1313.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 datasheet?p=SCT3080KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3080KLHRC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 sct3080klhr-e.pdf
SCT3080KLHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.