SCT3080KRC14 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1318.64 грн |
| 30+ | 789.73 грн |
| 120+ | 684.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080KRC14 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT3080KRC14 за ціною від 1066.44 грн до 1386.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3080KRC14 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SCT3080KRC14 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 31A Power dissipation: 165W Case: TO247-4 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 744 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SCT3080KRC14 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT3080KRC14 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 1386.94 грн |
| 9+ | 1232.73 грн |
| 10+ | 1225.94 грн |
| 20+ | 1195.40 грн |
| 30+ | 1066.44 грн |