Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3080KRC15

SCT3080KRC15 ROHM Semiconductor

Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SCT3080KRC15 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCT3080KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SCT3080KRC15 за ціною від 559.54 грн до 788.56 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SCT3080KRC15

ROHM

Description: ROHM - SCT3080KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SCT3080KRC15

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

8+	788.56 грн
10+	670.44 грн
30+	629.80 грн
50+	559.54 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SCT3080KRC15

Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3080KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SCT3080KRC15

Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 31A; 165W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...22V
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	788.56 грн
10+	670.44 грн
30+	629.80 грн
50+	559.54 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.