Продукція > STMICROELECTRONICS > SCT30N120
SCT30N120

SCT30N120 STMicroelectronics

80221280424025056.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+1083.50 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT30N120 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SCT30N120 за ціною від 917.46 грн до 1923.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+1166.85 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics SCT30N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1584.84 грн
2+1391.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics sct30n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.37 грн
30+972.79 грн
120+917.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics sct30n120-1509705.pdf SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1741.57 грн
10+1612.03 грн
25+1009.86 грн
100+966.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics SCT30N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1901.81 грн
2+1733.86 грн
30+1605.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMICROELECTRONICS 2308869.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1923.22 грн
5+1921.57 грн
10+1919.92 грн
50+1144.44 грн
100+1031.00 грн
250+1004.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120
Код товару: 167630
Додати до обраних Обраний товар

sct30n120.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.