Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SCT30N120

SCT30N120

sct30n120.pdf
Код товару: 167630
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SCT30N120 за ціною від 867.14 грн до 1577.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1352.87 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics 80221280424025056.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1352.87 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics sct30n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1538.33 грн
30+941.40 грн
120+867.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics SCT30N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1577.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 STMICROELECTRONICS 2308869.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 STMicroelectronics sct30n120.pdf SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 80221280424025056.pdf
SCT30N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+1352.87 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 80221280424025056.pdf
SCT30N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+1352.87 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 sct30n120.pdf
SCT30N120
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1538.33 грн
30+941.40 грн
120+867.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120.pdf
SCT30N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; SiCFET
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1577.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 2308869.pdf
SCT30N120
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 sct30n120.pdf
SCT30N120
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.