SCT30N120


sct30n120.pdf
Код товару: 167630
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SCT30N120 за ціною від 830.50 грн до 1578.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics sct30n120.pdf SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1390.78 грн
10+997.53 грн
100+830.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMicroelectronics sct30n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1541.76 грн
30+943.51 грн
120+869.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 SCT30N120 Виробник : STMICROELECTRONICS 2308869.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1578.54 грн
5+1485.07 грн
10+1390.78 грн
50+1204.64 грн
100+1031.15 грн
250+951.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT30N120 Виробник : STM sct30n120.pdf MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.