Інші пропозиції SCT30N120 за ціною від 803.65 грн до 1546.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT30N120 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: HiP247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SCT30N120 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |