на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1251.39 грн |
| 10+ | 1167.53 грн |
| 25+ | 951.24 грн |
| 50+ | 899.74 грн |
| 100+ | 880.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V, Power Dissipation (Max): 134W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT3105KLGC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3105KLGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: SICFET N-CH 1200V 24A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V Power Dissipation (Max): 134W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |