SCT3105KLHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 993.17 грн |
| 30+ | 917.51 грн |
| 120+ | 878.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3105KLHRC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V, Power Dissipation (Max): 134W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA, Supplier Device Package: TO-247N, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT3105KLHRC11 за ціною від 1145.82 грн до 1145.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3105KLHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|