SCT3105KRHRC15 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 802.97 грн |
| 10+ | 663.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3105KRHRC15 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V, Power Dissipation (Max): 134W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT3105KRHRC15 за ціною від 581.19 грн до 987.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3105KRHRC15 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3105KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3105KRHRC15 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V, 24A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|