SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 727.71 грн |
| 10+ | 700.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT3105KW7TL за ціною від 545.37 грн до 1080.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3105KW7TL | ROHM |
Description: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT3105KW7TL | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SCT3105KW7TL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT3105KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 755.46 грн |
| 5+ | 744.19 грн |
| 10+ | 732.11 грн |
| 50+ | 625.22 грн |
| 100+ | 556.41 грн |
| 250+ | 545.37 грн |
| SCT3105KW7TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1080.84 грн |
| 10+ | 837.56 грн |
| 100+ | 647.54 грн |
| 500+ | 609.57 грн |