Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3120ALGC11
SCT3120ALGC11

SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor

sct3120al-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+477.15 грн
30+454.19 грн
120+423.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3120ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 21A, 650V, 0.12 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 103W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції SCT3120ALGC11 за ціною від 271.72 грн до 700.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor sct3120al-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.15 грн
32+454.19 грн
120+423.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3120AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.80 грн
30+316.44 грн
120+311.80 грн
510+271.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor sct3120al-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+615.03 грн
25+588.61 грн
50+566.19 грн
100+527.44 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor sct3120al-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+615.03 грн
25+588.61 грн
50+566.19 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor sct3120al-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+700.42 грн
25+597.86 грн
30+582.15 грн
50+551.55 грн
100+490.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor sct3120al-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+700.42 грн
25+597.86 грн
30+582.15 грн
50+551.55 грн
100+490.07 грн
250+465.72 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3120AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 ROHM sct3120al-e.pdf Description: ROHM - SCT3120ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 21A, 650V, 0.12 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 sct3120al-e.pdf
SCT3120ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+477.15 грн
32+454.19 грн
120+423.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 datasheet?p=SCT3120AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3120ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+592.80 грн
30+316.44 грн
120+311.80 грн
510+271.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 sct3120al-e.pdf
SCT3120ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+615.03 грн
25+588.61 грн
50+566.19 грн
100+527.44 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 sct3120al-e.pdf
SCT3120ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+615.03 грн
25+588.61 грн
50+566.19 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 sct3120al-e.pdf
SCT3120ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+700.42 грн
25+597.86 грн
30+582.15 грн
50+551.55 грн
100+490.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 sct3120al-e.pdf
SCT3120ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+700.42 грн
25+597.86 грн
30+582.15 грн
50+551.55 грн
100+490.07 грн
250+465.72 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 datasheet?p=SCT3120AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3120ALGC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 sct3120al-e.pdf
SCT3120ALGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3120ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 21A, 650V, 0.12 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.