SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 598.48 грн |
| 30+ | 319.47 грн |
| 120+ | 314.78 грн |
| 510+ | 274.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 21A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V.
Інші пропозиції SCT3120ALGC11 за ціною від 314.32 грн до 752.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3120ALGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|