SCT3120AW7TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 914.79 грн |
| 10+ | 614.03 грн |
| 100+ | 463.61 грн |
| 500+ | 381.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3120AW7TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 100W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Інші пропозиції SCT3120AW7TL за ціною від 455.62 грн до 977.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3120AW7TL | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L |
на замовлення 2763 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCT3120AW7TL | ROHM |
Description: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 100W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT3120AW7TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 977.78 грн |
| 10+ | 557.60 грн |
| 100+ | 483.41 грн |
| 500+ | 455.62 грн |
| SCT3120AW7TL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: ROHM - SCT3120AW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)