SCT3160KLGC11 ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 480.85 грн |
| 10+ | 405.78 грн |
| 450+ | 352.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3160KLGC11 ROHM Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800.
Інші пропозиції SCT3160KLGC11 за ціною від 349.54 грн до 871.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3160KLGC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCT3160KLGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Power dissipation: 103W Case: TO247 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT3160KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 17A, 1.2kV, 0.16 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 103W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SCT3160KLGC11 | ROHM - Japan |
SCT3160KLGC11 SiC-N-Ch 1200V 17A 103W 0,208R TO247 SCT3160KLGC11 : Rohm TSCT3160klgc11 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
| SCT3160KLGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 551.51 грн |
| 29+ | 521.30 грн |
| 50+ | 480.38 грн |
| SCT3160KLGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 714.76 грн |
| 25+ | 684.06 грн |
| 50+ | 657.99 грн |
| 100+ | 612.97 грн |
| SCT3160KLGC11 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Power dissipation: 103W
Case: TO247
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 807.44 грн |
| SCT3160KLGC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 871.77 грн |
| 30+ | 500.89 грн |
| 60+ | 460.57 грн |
| 120+ | 400.40 грн |
| 510+ | 349.54 грн |
| SCT3160KLGC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 17A, 1.2kV, 0.16 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ROHM - SCT3160KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 17A, 1.2kV, 0.16 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCT3160KLGC11 |
|
Виробник: ROHM - Japan
SCT3160KLGC11 SiC-N-Ch 1200V 17A 103W 0,208R TO247 SCT3160KLGC11 : Rohm TSCT3160klgc11
SCT3160KLGC11 SiC-N-Ch 1200V 17A 103W 0,208R TO247 SCT3160KLGC11 : Rohm TSCT3160klgc11
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 818.82 грн |