SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 409.59 грн |
| 30+ | 358.02 грн |
| 120+ | 357.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800.
Інші пропозиції SCT3160KLGC11 за ціною від 357.31 грн до 1075.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3160KLGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS |
на замовлення 3304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3160KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 17A, 1.2kV, 0.16 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 103W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT3160KLGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Gate charge: 42nC On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 17A Power dissipation: 103W Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247 Technology: SiC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Gate charge: 42nC On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 17A Power dissipation: 103W Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247 Technology: SiC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM - Japan |
SiC-N-Ch 1200V 17A 103W 0,208R TO247 SCT3160KLGC11 : Rohm SCT3160KLGC11 TSCT3160klgc11 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|