Продукція > ROHM > SCT3160KW7HRTL
SCT3160KW7HRTL

SCT3160KW7HRTL ROHM

sct3160kw7hr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+535.59 грн
50+457.71 грн
100+333.67 грн
250+326.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3160KW7HRTL ROHM

Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT3160KW7HRTL за ціною від 312.86 грн до 686.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Виробник : Rohm Semiconductor sct3160kw7hr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+571.74 грн
25+547.18 грн
50+526.32 грн
100+490.31 грн
250+440.22 грн
500+411.11 грн
1000+401.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.12 грн
10+496.61 грн
100+372.21 грн
500+346.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Виробник : ROHM sct3160kw7hr-e.pdf Description: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+625.29 грн
5+580.88 грн
10+535.59 грн
50+457.71 грн
100+333.67 грн
250+326.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3160KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+646.68 грн
10+545.49 грн
100+374.97 грн
500+353.23 грн
1000+312.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Виробник : Rohm Semiconductor sct3160kw7hr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+686.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.