Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT3160KW7TL
SCT3160KW7TL

SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT3160KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+532.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT3160KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 100W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції SCT3160KW7TL за ціною від 390.25 грн до 1025.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3160KW7TL SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.44 грн
10+624.95 грн
100+472.29 грн
500+390.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL SCT3160KW7TL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3160KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+934.27 грн
10+569.37 грн
100+483.41 грн
500+465.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor sct3160kw7-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1011.14 грн
25+835.33 грн
50+783.24 грн
100+701.29 грн
250+646.17 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor sct3160kw7-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1011.14 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor sct3160kw7-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1025.14 грн
19+754.61 грн
50+691.97 грн
100+653.52 грн
200+547.48 грн
500+486.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL SCT3160KW7TL ROHM sct3160kw7-e.pdf Description: ROHM - SCT3160KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL datasheet?p=SCT3160KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3160KW7TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+929.44 грн
10+624.95 грн
100+472.29 грн
500+390.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL datasheet?p=SCT3160KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3160KW7TL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+934.27 грн
10+569.37 грн
100+483.41 грн
500+465.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL sct3160kw7-e.pdf
SCT3160KW7TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+1011.14 грн
25+835.33 грн
50+783.24 грн
100+701.29 грн
250+646.17 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL sct3160kw7-e.pdf
SCT3160KW7TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+1011.14 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL sct3160kw7-e.pdf
SCT3160KW7TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1025.14 грн
19+754.61 грн
50+691.97 грн
100+653.52 грн
200+547.48 грн
500+486.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KW7TL sct3160kw7-e.pdf
SCT3160KW7TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.