SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 446.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3160KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT3160KW7TL за ціною від 424.96 грн до 895.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT3160KW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V |
на замовлення 3847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT3160KW7TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L |
на замовлення 1923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT3160KW7TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3160KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT3160KW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT3160KW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT3160KW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SCT3160KW7TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W Gate charge: 42nC On-state resistance: 208mΩ Drain current: 17A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO263-7 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: SiC Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...22V |
товару немає в наявності |