Продукція > ROHM > SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL

SCT3160KWAHRTL ROHM

datasheet?p=SCT3160KWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+532.39 грн
50+453.48 грн
100+380.16 грн
250+372.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3160KWAHRTL ROHM

Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7LA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT3160KWAHRTL за ціною від 263.46 грн до 791.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT3160KWAHRTL SCT3160KWAHRTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3160KWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mohm 3rd Gen TO-263-7LA
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+644.90 грн
10+472.54 грн
100+342.42 грн
500+310.98 грн
1000+263.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL SCT3160KWAHRTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.17 грн
10+435.99 грн
100+326.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL SCT3160KWAHRTL Виробник : ROHM 4197379.pdf Description: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+717.46 грн
5+625.33 грн
10+533.20 грн
50+454.24 грн
100+380.86 грн
250+373.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL Виробник : Rohm Semiconductor sct3160kwahr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+674.43 грн
25+545.97 грн
50+513.85 грн
250+445.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL Виробник : Rohm Semiconductor sct3160kwahr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263-LA T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+791.68 грн
50+544.17 грн
100+523.48 грн
200+430.77 грн
500+391.16 грн
1000+318.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL SCT3160KWAHRTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.