Продукція > ROHM > SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL

SCT3160KWAHRTL ROHM

4197379.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+399.48 грн
50+324.58 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3160KWAHRTL ROHM

Description: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SCT3160KWAHRTL за ціною від 251.28 грн до 653.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT3160KWAHRTL SCT3160KWAHRTL ROHM 4197379.pdf Description: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+582.30 грн
5+491.29 грн
10+399.48 грн
50+324.58 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL SCT3160KWAHRTL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3160KWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mohm 3rd Gen TO-263-7LA
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.07 грн
10+466.81 грн
100+338.27 грн
500+307.20 грн
1000+260.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL SCT3160KWAHRTL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.15 грн
10+430.70 грн
100+322.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL 4197379.pdf
SCT3160KWAHRTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.208ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+582.30 грн
5+491.29 грн
10+399.48 грн
50+324.58 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL datasheet?p=SCT3160KWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT3160KWAHRTL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mohm 3rd Gen TO-263-7LA
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+637.07 грн
10+466.81 грн
100+338.27 грн
500+307.20 грн
1000+260.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KWAHRTL datasheet?p=SCT3160KWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT3160KWAHRTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+653.15 грн
10+430.70 грн
100+322.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.