SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2043.67 грн |
| 8+ | 1718.31 грн |
| 10+ | 1626.80 грн |
| 50+ | 1372.61 грн |
| 100+ | 1225.55 грн |
| 450+ | 1115.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor
Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V, Power Dissipation (Max): 312W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V.
Інші пропозиції SCT4013DRC15 за ціною від 1611.43 грн до 3081.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4013DRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STRPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V Power Dissipation (Max): 312W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V |
на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT4013DRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT4013DRC15 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT4013DRC15 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT4013DRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|