SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor


sct4013dr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2369.04 грн
8+1991.88 грн
10+1885.80 грн
50+1591.14 грн
100+1420.66 грн
450+1293.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SCT4013DRC15 за ціною від 1462.62 грн до 3571.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4013DR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2494.43 грн
30+1582.88 грн
120+1462.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor sct4013dr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2997.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 Rohm Semiconductor sct4013dr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+3571.52 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4013DR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 ROHM sct4013dr-e.pdf Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 datasheet?p=SCT4013DR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2494.43 грн
30+1582.88 грн
120+1462.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 sct4013dr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+2997.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 sct4013dr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 105A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tape
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
450+3571.52 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 datasheet?p=SCT4013DR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4013DRC15 sct4013dr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4013DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.