SCT4018KEC11

SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT4018KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1697.46 грн
30+1405.25 грн
120+1338.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V, Power Dissipation (Max): 312W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V.

Інші пропозиції SCT4018KEC11 за ціною від 1329.18 грн до 2949.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT4018KEC11 SCT4018KEC11 Виробник : ROHM datasheet?p=SCT4018KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1821.40 грн
5+1753.73 грн
10+1686.06 грн
50+1502.78 грн
100+1329.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11 SCT4018KEC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4018KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET SIC MOSFET
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2949.10 грн
10+2582.94 грн
25+2096.69 грн
50+2095.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.