SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 1716.70 грн |
| 30+ | 1687.11 грн |
| 120+ | 1641.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT4018KEC11 за ціною від 1213.57 грн до 2140.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4018KEC11 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247NtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT4018KEC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT4018KEC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT4018KEC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V Power Dissipation (Max): 312W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|