Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT4018KEC11
SCT4018KEC11

SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor

sct4018kee.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1739.95 грн
30+1709.96 грн
120+1663.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 312W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Інші пропозиції SCT4018KEC11 за ціною від 1225.59 грн до 2172.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4018KEC11 SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor sct4018kee.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2097.58 грн
10+2083.71 грн
25+1995.04 грн
50+1834.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11 SCT4018KEC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4018KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2161.76 грн
30+1355.64 грн
120+1225.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11 SCT4018KEC11 ROHM sct4018ke-e.pdf Description: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2172.73 грн
5+1910.19 грн
10+1646.82 грн
50+1498.25 грн
100+1355.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11 SCT4018KEC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4018KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11 sct4018kee.pdf
SCT4018KEC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2097.58 грн
10+2083.71 грн
25+1995.04 грн
50+1834.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11 datasheet?p=SCT4018KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4018KEC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2161.76 грн
30+1355.64 грн
120+1225.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11 sct4018ke-e.pdf
SCT4018KEC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4018KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2172.73 грн
5+1910.19 грн
10+1646.82 грн
50+1498.25 грн
100+1355.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KEC11 datasheet?p=SCT4018KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4018KEC11
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.