Продукція > ROHM > SCT4018KRC15

SCT4018KRC15 ROHM


sct4018kr-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4018KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2226.12 грн
5+2014.30 грн
10+1801.67 грн
50+1639.33 грн
100+1482.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4018KRC15 ROHM

Description: ROHM - SCT4018KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 312W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Інші пропозиції SCT4018KRC15 за ціною від 1674.15 грн до 2339.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4018KRC15 SCT4018KRC15 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4018KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2335.62 грн
30+1674.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KRC15 SCT4018KRC15 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4018KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2339.68 грн
10+1800.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KRC15 datasheet?p=SCT4018KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2335.62 грн
30+1674.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KRC15 datasheet?p=SCT4018KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2339.68 грн
10+1800.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.