SCT4018KWATL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1055.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4018KWATL Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V, Power Dissipation (Max): 267W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA, Supplier Device Package: TO-263-7LA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT4018KWATL за ціною від 1085.60 грн до 1859.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4018KWATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT4018KWATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V Power Dissipation (Max): 267W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA Supplier Device Package: TO-263-7LA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|