SCT4026DEC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1354.38 грн |
| 30+ | 1281.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4026DEC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT4026DEC11 за ціною від 1058.52 грн до 1692.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4026DEC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SCT4026DEC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 750V SIC MOSFET |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|