SCT4026DEC11

SCT4026DEC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SCT4026DE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 4883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1357.65 грн
30+1284.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4026DEC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SCT4026DEC11 за ціною від 1061.08 грн до 1696.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCT4026DEC11 SCT4026DEC11 Виробник : ROHM sct4026de-e.pdf Description: ROHM - SCT4026DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1510.27 грн
5+1471.48 грн
10+1432.69 грн
50+1197.02 грн
100+1083.01 грн
250+1061.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DEC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4026DE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 750V SIC MOSFET
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1696.85 грн
10+1486.48 грн
25+1243.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.