SCT4026DRC15 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1413.43 грн |
| 10+ | 973.20 грн |
| 450+ | 713.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4026DRC15 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4026DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT4026DRC15
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4026DRC15 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SCT4026DRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4026DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT4026DRC15 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT4026DRC15 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT4026DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)