Продукція > ROHM > SCT4026DW7TL
SCT4026DW7TL

SCT4026DW7TL ROHM

sct4026dw7-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+764.32 грн
50+660.37 грн
100+564.01 грн
250+552.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4026DW7TL ROHM

Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V, Power Dissipation (Max): 150W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V.

Інші пропозиції SCT4026DW7TL за ціною від 552.96 грн до 1250.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4026DW7TL SCT4026DW7TL ROHM sct4026dw7-e.pdf Description: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1003.53 грн
5+884.33 грн
10+764.32 грн
50+660.37 грн
100+564.01 грн
250+552.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TL SCT4026DW7TL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4026DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1192.13 грн
10+813.83 грн
100+707.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TL SCT4026DW7TL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4026DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1250.78 грн
10+874.87 грн
100+660.66 грн
1000+625.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TL sct4026dw7-e.pdf
SCT4026DW7TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1003.53 грн
5+884.33 грн
10+764.32 грн
50+660.37 грн
100+564.01 грн
250+552.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TL datasheet?p=SCT4026DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4026DW7TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1192.13 грн
10+813.83 грн
100+707.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DW7TL datasheet?p=SCT4026DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4026DW7TL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1250.78 грн
10+874.87 грн
100+660.66 грн
1000+625.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.