Продукція > ROHM > SCT4026DWAHRTL
SCT4026DWAHRTL

SCT4026DWAHRTL ROHM

4155169.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+695.06 грн
50+608.02 грн
100+526.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4026DWAHRTL ROHM

Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA, Supplier Device Package: TO-263-7LA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCT4026DWAHRTL за ціною від 526.04 грн до 1332.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4026DWAHRTL SCT4026DWAHRTL ROHM 4155169.pdf Description: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.76 грн
5+807.81 грн
10+695.06 грн
50+608.02 грн
100+526.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTL SCT4026DWAHRTL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4026DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1027.49 грн
10+747.50 грн
100+630.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTL SCT4026DWAHRTL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4026DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1332.93 грн
10+1001.10 грн
100+724.86 грн
500+646.85 грн
1000+634.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTL 4155169.pdf
SCT4026DWAHRTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DWAHRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+919.76 грн
5+807.81 грн
10+695.06 грн
50+608.02 грн
100+526.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTL datasheet?p=SCT4026DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4026DWAHRTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1027.49 грн
10+747.50 грн
100+630.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWAHRTL datasheet?p=SCT4026DWAHR&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4026DWAHRTL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1332.93 грн
10+1001.10 грн
100+724.86 грн
500+646.85 грн
1000+634.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.