Продукція > ROHM > SCT4026DWATL
SCT4026DWATL

SCT4026DWATL ROHM

4155168.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+723.25 грн
50+625.22 грн
100+533.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4026DWATL ROHM

Description: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.

Інші пропозиції SCT4026DWATL за ціною від 533.63 грн до 1201.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4026DWATL SCT4026DWATL ROHM 4155168.pdf Description: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.24 грн
5+872.25 грн
10+723.25 грн
50+625.22 грн
100+533.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATL SCT4026DWATL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4026DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.53 грн
10+780.10 грн
100+671.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATL SCT4026DWATL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4026DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1201.65 грн
10+838.35 грн
100+627.52 грн
500+626.83 грн
1000+586.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATL 4155168.pdf
SCT4026DWATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4026DWATL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1021.24 грн
5+872.25 грн
10+723.25 грн
50+625.22 грн
100+533.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATL datasheet?p=SCT4026DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4026DWATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 500 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1145.53 грн
10+780.10 грн
100+671.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4026DWATL datasheet?p=SCT4026DWA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
SCT4026DWATL
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1201.65 грн
10+838.35 грн
100+627.52 грн
500+626.83 грн
1000+586.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.