Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT4036KEC11
SCT4036KEC11

SCT4036KEC11 ROHM Semiconductor

datasheet?p=SCT4036KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1318.21 грн
10+928.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4036KEC11 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 176W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.

Інші пропозиції SCT4036KEC11 за ціною від 718.71 грн до 2479.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4036KEC11 SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4036KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1512.56 грн
30+914.11 грн
60+849.61 грн
120+746.45 грн
510+718.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor sct4036ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1791.60 грн
50+1344.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor sct4036ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1791.60 грн
50+1344.16 грн
250+1339.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor sct4036ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2479.78 грн
8+2017.05 грн
10+1934.00 грн
50+1567.45 грн
100+1313.62 грн
200+1230.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 SCT4036KEC11 ROHM sct4036ke-e.pdf Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 datasheet?p=SCT4036KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4036KEC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1512.56 грн
30+914.11 грн
60+849.61 грн
120+746.45 грн
510+718.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 sct4036ke-e.pdf
SCT4036KEC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1791.60 грн
50+1344.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 sct4036ke-e.pdf
SCT4036KEC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1791.60 грн
50+1344.16 грн
250+1339.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 sct4036ke-e.pdf
SCT4036KEC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2479.78 грн
8+2017.05 грн
10+1934.00 грн
50+1567.45 грн
100+1313.62 грн
200+1230.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KEC11 sct4036ke-e.pdf
SCT4036KEC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.