SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1447.71 грн |
| 30+ | 874.85 грн |
| 120+ | 761.23 грн |
| 510+ | 687.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 176W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.
Інші пропозиції SCT4036KEC11 за ціною від 1222.40 грн до 2463.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4036KEC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT4036KEC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCT4036KEC11 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT4036KEC11 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SCT4036KEC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 176W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT4036KEC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 1779.70 грн |
| 50+ | 1335.24 грн |
| SCT4036KEC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 1779.70 грн |
| 50+ | 1335.24 грн |
| 250+ | 1330.62 грн |
| SCT4036KEC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2463.33 грн |
| 8+ | 2003.66 грн |
| 10+ | 1921.16 грн |
| 50+ | 1557.05 грн |
| 100+ | 1304.91 грн |
| 200+ | 1222.40 грн |
| SCT4036KEC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT4036KEC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)