SCT4036KEHRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT4036KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1425.09 грн |
| 5+ | 1340.91 грн |
| 10+ | 1255.88 грн |
| 50+ | 1073.01 грн |
| 100+ | 792.23 грн |
| 250+ | 776.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4036KEHRC11 ROHM
Description: 1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V, Power Dissipation (Max): 176W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCT4036KEHRC11 за ціною від 889.86 грн до 1472.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4036KEHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V Power Dissipation (Max): 176W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT4036KEHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|