| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1378.79 грн |
| 10+ | 1195.94 грн |
| 100+ | 894.41 грн |
| 450+ | 822.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4036KRC15 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 176W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.
Інші пропозиції SCT4036KRC15 за ціною від 715.76 грн до 1506.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4036KRC15 | Rohm Semiconductor |
 Description: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-STPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V Power Dissipation (Max): 176W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V |
на замовлення 4504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCT4036KRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 176W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT4036KRC15 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Description: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1506.39 грн |
| 10+ | 1038.00 грн |
| 50+ | 861.95 грн |
| 450+ | 715.76 грн |
| SCT4036KRC15 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)