Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCT4036KRC15
SCT4036KRC15

SCT4036KRC15 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT4036KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Power Dissipation (Max): 176W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1447.71 грн
10+997.52 грн
450+732.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4036KRC15 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 176W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.

Інші пропозиції SCT4036KRC15

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCT4036KRC15 SCT4036KRC15 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4036KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15 SCT4036KRC15 ROHM sct4036kr-e.pdf Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15 datasheet?p=SCT4036KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4036KRC15
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4036KRC15 sct4036kr-e.pdf
SCT4036KRC15
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.