на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1429.04 грн |
| 10+ | 1239.52 грн |
| 100+ | 927.01 грн |
| 450+ | 852.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4036KRC15 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT4036KRC15 за ціною від 984.29 грн до 1527.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4036KRC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-STPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V Power Dissipation (Max): 176W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V |
на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT4036KRC15 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT4036KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|