| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 863.45 грн |
| 10+ | 550.03 грн |
| 100+ | 473.90 грн |
| 450+ | 436.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4045DEC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SCT4045DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 115W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Інші пропозиції SCT4045DEC11 за ціною від 397.95 грн до 995.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4045DEC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: 750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STRPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 500 V |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT4045DEC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4045DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 115W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT4045DEC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 500 V
Description: 750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 500 V
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 995.00 грн |
| 10+ | 670.04 грн |
| 50+ | 546.99 грн |
| 450+ | 421.83 грн |
| 900+ | 397.95 грн |
| SCT4045DEC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: ROHM - SCT4045DEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)