SCT4045DRC15 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA
Power Dissipation (Max): 115W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 965.53 грн |
| 10+ | 650.17 грн |
| 450+ | 436.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4045DRC15 Rohm Semiconductor
Description: 750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 8.89mA, Power Dissipation (Max): 115W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 17A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V.
Інші пропозиції SCT4045DRC15
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4045DRC15 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SCT4045DRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT4045DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCT4045DRC15 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
SiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCT4045DRC15 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4045DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT4045DRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)